压力、流速--抛光工艺参数该如何调整

引言

       在SIC晶圆抛光中压力与流速的工艺参数是非常关键的一环，那么该如何调整这两个工艺参数呢？以下是我司对它们的一些测试数据进行的情况分析。

测试过程

挑选我司SIC-03K抛光液搭配S系列抛光垫，再分别调控压力、抛光液流速等参数，进行多组对照实验：

SIC-03K抛光液

      SIC-03K抛光液搭配S系列抛光垫，在其他参数相同的条件下，流速分别使用5L/min、7L/min、9L/min、11L/min，进行多次实验，实验去除率数据如下图：

      SIC-03K抛光液搭配S系列抛光垫，在其他参数相同的条件下，调整压力194g/cm²、260g/cm²、320g/cm²进行多次实验，实验去除率如下图：

实验结果

      流量相关测试结束后观测晶圆表面情况如下图：

5L/min	7L/min
9L/min	11L/min

      压力相关测试结束后观测晶圆表面情况如下图：

194g/cm²	260g/cm²	320g/cm²

结论

       在使用SIC-03K搭配S系列抛光垫时，发现流速控制在7-9L/min时去除率最佳，流速在5L/min时效果次之，应是氧化性能未达到阙值；11L/min目前效果最低，应是流量过大，磨料无法有效带走氧化层，因此可通过调配抛光液成分比例控制最佳值的区间范围。压力参数方面，在194-320g/cm²的压力范围内，去除率基本与压力成正比，但提升的幅度较小，而压力过大可能会导致表面损伤加剧，产生划痕、微裂纹等表面缺陷问题，影响后续的器件性能和可靠性。

       因此，我们可以通过调配抛光液氧化性能、固含量比例，来控制流速最佳值的区间范围，而压力我们需要保证良好的表面情况下，来确定最大承受压力。

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